| ZPĚT |
|
Paměť PROM
Paměť PROM je vylepšení paměti ROM v tom smyslu, že je možné ji naprogramovat elektricky. Takže si ji může kdokoliv naprogramovat sám. Paměť kterou zde popisuji má označení 74188, je vyrobena technologií TTL a její napájecí napětí je 5V.
K blokovému schématu:
Blok 1 je dekodér adresy řádku, volí jednu ze 32 řádek paměťové matice a zajišťuje ovládání z vývodu CS = chip select. Pracuje ve dvou režimech. Jestliže CS = 0 je v režimu čtení READ, jestliže CS = 1 je v režimu inhibited – blokování. Blok 2 je paměťová matice, zde jsou paměťové buňky uspořádány po 8 bitech v rovině „x“ a 32 bitů v rovině „y“ Z výstupu bloku 2 se na sběrnici dostává 8 bitů té řádky, která je zvolena adresou. V paralelním tvaru jsou přivedeny do bloku 3. Je to výstupní zesilovač s osmibitovým výstupem. Výstupní tranzistory jsou vyrobeny technologií OC otevřený kolektor, proto je nutné každý vývod Q napájet přes odpor 3k9 ze zdroje +5V.
Programátor
Postupem zvaným programování se jednou provždy změní hodnota obsahu buňky. Prázdná paměť má výstupy na všech adresách na hodnotě log.0. Při programování se v právě adresované paměťové buňce jednou pro vždy přepálí programovací spojka a tím se výstup nastaví na log.1. Programuje se vždy pouze jeden bit jinak by se paměť mohla poškodit. Programuje se zvýšeným napětím 10V, přičemž programovaný výstupní bit musí být na hodnotě log.0. Po dobu změny napájecího napětí musí být paměť deaktivována přivedením úrovně log.1 na vývod CS. K programování se používá speciální zařízení, programátor.Popis blokového schéma programátoru:
Stlačením tlačítka PRG se vytvoří impuls, je aktivován MKO I, na prvním vstupu členu NAND je úroveň L na výstupu je H a paměť je deaktivována. Z výstupu MKO II je přes invertor INV aktivován zdroj +10V, v tomto okamžiku je výstupní bit programován. Dioda slouží k oddělení obou zdrojů. Při programovacím impulsu je na její katodě +10V a na její anodě +5V, to znamená že je uzavřena záporným napětím –5V.
Zdeněk Novotný
